Bor arsenid
| |
| |
| Identifikacija | |
|---|---|
| Svojstva | |
| BAs or B12As2 | |
| Molarna masa | 85,733 g/mol |
| Gustina | 5,22 g/cm3, čvrst |
| Tačka topljenja | 2.027 °C (3.681 °F; 2.300 K) |
| Nerastvoran | |
| Energijska barijera | 1.50 eV(BAs); 3.47 eV(B12As2) |
| Opasnosti | |
EU klasifikacija (DSD)
|
N/A |
| Srodna jedinjenja | |
Drugi anjoni
|
Bor nitrid Bor fosfid Bor antimonid |
Drugi katjoni
|
Aluminijum arsenid Galijum arsenid Indijum arsenid |
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje materijala (na 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
 verifikuj (šta je   ?)
| |
| Reference infokutije | |
Bor arsenid (BAs) je hemijsko jedinjenje bora i arsena. On je kubni (sfaleritni) poluprovodnik sa konstantom rešetke od 0.4777 nm i indirektnom bend prazninom od oko 1.5 eV. On formira leguru sa galijum arsenidom.
Bor arsenid se takođe javlja kao ikosaedralni borid, B12As2.[1]
On pripada R-3m prostornoj grupi sa romboedarskom strukturom baziranom na klasterima atoma bora i dvoatomnim As-As lancima. On je poluprovodnik
Reference
[уреди | уреди извор]- ^ „Semiconductors, University of Bristol”. Архивирано из оригинала 01. 02. 2014. г. Приступљено 29. 12. 2011.
Literatura
[уреди | уреди извор]- Chen, H.; Wang, Guan; Dudley, Michael; Xu, Zhou; Edgar, J. H.; Batten, Tim; Kuball, Martin; Zhang, Lihua; Zhu, Yimei; et al. (2008). „Single-crystalline B12As2 on m-plane (1-100)15R-SiC”. Applied Physics Letters. 92 (23): 231917—1——231917—3. doi:10.1063/1.2945635.
- Hart, Gus L. W.; Zunger, Alex (2000). „Electronic structure of BAs and boride III-V alloys”. Physical Review B. 62 (20): 13522—13537. arXiv:cond-mat/0009063
. doi:10.1103/PhysRevB.62.13522.
- King, R. Bruce (1999). Boron Chemistry at the Millennium. New York: Elsevier. ISBN 978-0-444-72006-1.
- Ownby, P. D. (1975). „Ordered Boron Arsenide”. Journal of the American Ceramic Society. 58 (7–8): 359—360. doi:10.1111/j.1151-2916.1975.tb11514.x.
