N-МОП

Содержимое этой статьи нуждается в чистке. Текст содержит много маловажных, неэнциклопедичных или устаревших подробностей. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей.

Возможно, эта статья содержит оригинальное исследование. Проверьте соответствие информации приведённым источникам и удалите или исправьте информацию, являющуюся оригинальным исследованием. В случае необходимости подтвердите информацию авторитетными источниками. В противном случае статья может быть выставлена на удаление.

МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора.

Полевые транзисторы создавались для преодоления недостатков обычных биполярных транзисторов и особенно преодоления частоты в 100 МГц. Но из-за слишком простой конструкции МОП-транзистор работает очень медленно. Особенно это касается p-МОП схем, где носителем заряда являются малоподвижные дырки.

МОП-транзистор часто называют электронным аналогом лампового триода. Своим(?) электрическим полем (на выводе затвора) он индуцирует переход как в обычном биполярном транзисторе. При этом появляется переход, по которому течёт ток. При изменении полярности на затворе переход исчезает, ток не проходит.

Логический МОП-элемент представляет из себя два транзистора n-МОП или p-МОП с резисторами смещения. В зависимости от напряжения на входе включается либо первый, либо второй транзистор, при этом на выход поступает либо напряжение питания, либо корпус(?). Для повышения степени интеграции и экономичности в ходе усовершенствований удалось избавиться от «ненужных» резисторов.

МОП-транзисторы занимают на кристалле микросхемы в 6-9 раз меньшую площадь, чем транзисторы, используемые в ТТЛ за счёт отсутствия изолятора на подложке. Это позволило добиться высокой степени интеграции и создать микропроцессоры (процессоры собранные в одной микросхеме). Например: для создания статического или отдельного изодинамического триггера нужно 6 транзисторов, но на кристалле они занимают меньшую площадь, чем два биполярных транзистора обычного триггера. Мощность потребления у МОП-транзисторов очень мала (особенно p-МОП), что позволяет делать на их основе часы, калькуляторы и др. устройства, требующие экономичности. n-МОП схемы применяются чаще из-за большей простоты изготовления и чуть большего быстродействия.

Существуют и иные разновидности МОП-транзисторов. В частности с диодами Шоттки — обычно это МеП (Металл-полупроводник). ЛИЗМОП (МОП с Лавинной Инжекцией Заряда) с «плавающим» затвором без вывода. В нём затвор представляет из себя диэлектрик, который состоит из молибдена или поликремния(?). При инжекции заряда информация запоминается. Для стирания используется облучение ультрафиолетом. Аналогично устроена и Flash-память, но там затворы тоньше для возможности «вытягивания» заряда в подложку. Для поблочной адресации и для исключения возможности повреждения транзисторов при стирании данная память часто имеет встроенные цепи программирования/стирания/упавления. МНОП (металл-нитрид-оксид-полупроводник) — транзистор с двойным затвором и двойным изолятором из нитридного и оксидного слоёв. В процессе заряда ток проходит через оксид, но не проходит через нитрид, что позволяет сохранять информацию. Второй затвор сверху позволяет электрически стирать информацию в таком транзисторе. Применялись они до появления Flash-памяти. Другие виды транзисторов не рассматриваются из-за их малой распространённости.

Преимущества МОП: высокая экономичность, высокая плотность размещения на кристалле, низкая стоимость.

Недостатки: низкое быстродействие.

• МОП-структура

• http://www.inp.nsk.su/~kozak/adv/advh9.htm Справочник. Номенклатура интегральных микросхем. ЗУ динамического типа (N-МОП).

Шаблон:Link GA