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Renesas Electronics Corporation

Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Nome nativo ルネサス エレクトロニクス株式会社
Empresa de capital aberto
Atividade Semicondutor
Fundação
  • 1 de abril de 2003 (2003-04-01)
  • (Operações iniciadas no dia 1.º de abril de 2010)
Sede Tóquio, Japão
Presidente Bunsei Kure
Pessoas-chave Tetsuya Tsurumaru (Diretor representatnte e presidente do conselho de administração)[1]
Empregados 18,900 (Consolidada)[2]
Produtos Microcontroladores, MOSFETs de potência, CIs híbridos, IGBTs, diodos semicondutores, pequenos transistores de sinal, CIs de driver de vídeo, semicondutores compostos, ASICs, ASSPs
Antecessora(s) NEC Electronics Corporation, Renesas Technology Corporation
Website oficial www.renesas.com

Renesas Technology Corporation (em japonês Runesasu Tekunoroji Kabushiki Gaisha) É uma empresa japonesa fabricante de semicondutores sediada em Tóquio e possui fábricas, laboratórios e representações de vendas em 20 países, com 25 000 funcionários em todo o mundo. Ela e uma das maiores fabricantes de semicondutores para sistemas celulares e automotivos além de microcontroladores.

A Renesas foi fundada como um joint-venture em 1 de abril de 2003 pela Hitachi Ltd (55%) e a Mitsubishi Electric (45%). Em abril de 2009 a Renesas Technology Corporation e a divisão da semicondutor da NEC Electronics fundira-se para criar a Renesas Electronics Corporation.[3]

Referências
  1. «Executive Team». Renesas Electronics Corporation. Junho de 2013. Consultado em 1 de julho de 2013 
  2. «Company profile». Renesas Electronics Corporation. Março de 2016. Consultado em 2 de novembro de 2016 
  3. Izumi, Sachi NEC Electronics e Renesas negociam fusão, br.reuters.com, 27 de abril de 2009


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