Neišliekamoji atmintis
Neišliekamoji atmintis arba trinioji atmintis[1][2] (angl. Volatile memory) – priešingai negu išliekamoji atmintis, kompiuterio atmintis, kuriai išlaikyti reikalinga elektros srovė.
Neišliekamoji atmintis ir laisvosios prieigos atmintis (RAM) dažnai klaidingai painiojamos. Tobulėjant technologijoms, neišliekamoji atmintis gali būti ir ne RAM, pvz., RAM diskai (virtualusis diskas). Taip pat RAM gali būti ir išliekamoji atmintis, pvz., MRAM.
Tipai
[redaguoti | redaguoti vikitekstą]Pagrindinis neišliekamosios atminties tipas – RAM (laisvosios prieigos atmintis), skirstoma į dinaminę (DRAM) ir statinę (SRAM).
Dinaminė atmintis (DRAM) labai populiari dėl savo ekonomiškumo. DRAM saugo kiekvieną bitą skirtingame integruotos grandinės kondensatoriuje. DRAM lustams saugoti bitą reikalingas tik vienas kondensatorius ir vieno tranzistorius. Taip jis taupo erdvę ir yra nebrangus.[3]
Statinė atmintis (SRAM) greitesnė už dinaminę. Jos trūkumas – didelė kaina. SRAM nereikia nuolatinio elektros atnaujinimo, tačiau vis tiek reikia nuolatinės srovės, kad išlaikytų įtampų skirtumą. Kiekvienam SRAM lusto bitui reikalingas šešių tranzistorių elementas, o DRAM reikia tik vieno kondensatoriaus ir vieno tranzistoriaus. SRAM dažniausiai naudojama procesorių registruose ir tinklo įrenginiuose bei kaip procesoriaus spartinančioji atmintinė.
Šaltiniai
[redaguoti | redaguoti vikitekstą]- ↑ atmintis(parengė Algis Daktariūnas). Visuotinė lietuvių enciklopedija (tikrinta 2024-09-04).
- ↑ „Informatikos ir kompiuterių įrangos žodynėlių terminijos skirtybės“. Terminologija. Lietuvių kalbos institutas (17): 68–78. 2010. ISSN 1392-267X. Nuoroda tikrinta 2024-09-04.
- ↑ „DRAM Technology“ (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. Nuoroda tikrinta 2018-03-27.