毎ファラド
| 毎ファラド ダラフ 英 reciprocal farad daraf | |
|---|---|
| 記号 | F−1 |
| 系 | 国際単位系 (SI) |
| 種類 | 組立単位 |
| 量 | エラスタンス |
毎ファラド（まいファラド、reciprocal farad）またはダラフ（daraf）[1]は、エラスタンス（静電容量の逆数）の単位である。単位記号は F−1。
「毎ファラド」の名前の通り、静電容量の単位ファラドの逆数であり、1毎ファラドは1クーロンの電荷を蓄えたコンデンサの電位差が1ボルトであるときのエラスタンスと定義される。
「ダラフ」という単位名称は、1936年に電気工学者のアーサー・エドウィン・ケネリーが、ファラド(farad)を逆に綴って命名したものである。国際単位系(SI)では「ダラフ」は組立単位「毎ファラド」の固有の名称とは認められていない。
出典
[編集]- Journal of the Institute of Electrical Engineers (GB) volume 78, page 241 (1936).
関連項目
[編集]- モー(mho)
| 名称 | 記号 | 次元 | 組立 | 物理量 |
|---|---|---|---|---|
| アンペア（SI基本単位） | A | I | A | 電流 |
| クーロン | C | T I | A·s | 電荷（電気量） |
| ボルト | V | L2 T−3 M I−1 | J/C = kg·m2·s−3·A−1 | 電圧・電位 |
| オーム | Ω | L2 T−3 M I−2 | V/A = kg·m2·s−3·A−2 | 電気抵抗・インピーダンス・リアクタンス |
| オーム・メートル | Ω·m | L3 T−3 M I−2 | kg·m3·s−3·A−2 | 電気抵抗率 |
| ワット | W | L2 T−3 M | V·A = kg·m2·s−3 | 電力・放射束 |
| ファラド | F | L−2 T4 M−1 I2 | C/V = kg−1·m−2·A2·s4 | 静電容量 |
| ファラド毎メートル | F/m | L−3 T4 I2 M−1 | kg−1·m−3·A2·s4 | 誘電率 |
| 毎ファラド（ダラフ） | F−1 | L2 T−4 M I−2 | V/C = kg1·m2·A−2·s−4 | エラスタンス |
| ボルト毎メートル | V/m | L T−3 M I−1 | kg·m·s−3·A−1 | 電場（電界）の強さ |
| クーロン毎平方メートル | C/m2 | L−2 T I | C/m2= m−2·A·s | 電束密度 |
| ジーメンス | S | L−2 T3 M−1 I2 | Ω−1 = kg−1·m−2·s3·A2 | コンダクタンス・アドミタンス・サセプタンス |
| ジーメンス毎メートル | S/m | L−3 T3 M−1 I2 | kg−1·m−3·s3·A2 | 電気伝導率（電気伝導度・導電率） |
| ウェーバ | Wb | L2 T−2 M I−1 | V·s = J/A = kg·m2·s−2·A−1 | 磁束 |
| テスラ | T | T−2 M I−1 | Wb/m2 = kg·s−2·A−1 | 磁束密度 |
| アンペア回数 | A | I | A | 起磁力 |
| アンペア毎メートル | A/m | L−1 I | m−1·A | 磁場（磁界）の強さ |
| アンペア毎ウェーバ | A/Wb | L−2 T2 M−1 I2 | kg−1·m−2·s2·A2 | 磁気抵抗（リラクタンス、英: reluctance） |
| ヘンリー | H | L2 T−2 M I−2 | Wb/A = V·s/A = kg·m2·s−2·A−2 | インダクタンス・パーミアンス |
| ヘンリー毎メートル | H/m | L T−2 M I−2 | kg·m·s−2·A−2 | 透磁率 |
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