„Raumladungszone“ – Versionsunterschied

Die RLZ entsteht durch Diffusion der Ladungsträger in das jeweilig anders dotierte Gebiet (siehe [[p-n-Übergang]]), Ursache ist der durch die unterschiedliche [[Dotierung]] vorhandene [[Gradient]] von Ladungsträgern. Zwischen diesen [[Raumladung]]en bildet sich im Inneren des Kristalls ein elektrisches Gegenfeld aus, das so gerichtet ist, dass es der weiteren Diffusion von beweglichen Ladungsträgern entgegen wirkt, da es einen entgegengesetzten [[Drift]]strom erzeugt.

 

 

==Weblinks==