Eine Raumladungszone (RLZ) ist in Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone nach aussen ladungsneutral erscheint.
Die RLZ entsteht durch Diffusion der Ladungsträger in das jeweilig anders dotierte Gebiet (siehe p-n-Übergang), Ursache ist der durch die unterschiedliche Dotierung vorhandene Gradient von Ladungsträgern. Zwischen diesen Raumladungen bildet sich im Inneren des Kristalls ein elektrisches Gegenfeld aus, das so gerichtet ist, dass es der weiteren Diffusion von beweglichen Ladungsträgern entgegen wirkt, da es einen entgegengesetzten Driftstrom erzeugt.
Die Breite der RLZ ist außerdem temperaturabhängig und lässt sich über eine von außen angelegte Spannung gezielt verändern. Legt man eine vom p-Gebiet zum n-Gebiet gerichtete Spannung an, so wird die RLZ breiter, kehrt man die Spannung um, so wird die RLZ schmaler.