Litografia de raigs X
Litografia de raigs X és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona de raigs X (per sota d'1 nm). És un procés emprat a la indústria electrònica per a eliminar selectivament parts d'un pel·lícula prima transferint els raigs X a través de la geometria d'un patró i d'una màscara a un material químic sensible a la llum. Llavors mitjançant una sèrie de tractaments químics s'obté el gravat del patró damunt el substracte.[1][2][3][4]
Característiques
[modifica]- Els raigs X superen els límits de la difracció de la llum mitjançant llum col·limada de lens difractives en comptes de lens refractives emprades en òptica.
- La font de raigs X s'implementa amb la radiació de sincrotró.
Referències
[modifica]- ↑ Maldonado, Juan R.; Peckerar, Martin «X-ray lithography: Some history, current status and future prospects». Microelectronic Engineering, 161, Supplement C, 01-08-2016, pàg. 87–93. DOI: 10.1016/j.mee.2016.03.052.
- ↑ «Proximity X-ray Lithography» (en anglès). http://spie.org.+[Consulta: 20 novembre 2017].
- ↑ «X-ray Lithography» (en anglès). http://pages.mtu.edu. Arxivat de l'original el 2019-08-31. [Consulta: 20 novembre 2017].
- ↑ «X-Ray Lithography - Electronic Circuits and Diagram-Electronics Projects and Design» (en anglès). Electronic Circuits and Diagram-Electronics Projects and Design, 31-05-2010.