800纳米制程

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

800纳米制程，又稱0.8微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1989年至1990年左右达成。^[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。

• 于1989年推出的Intel 80486CPU使用这个制程。
• 1992年推出的microSPARC I（英语：microSPARC I）
• 1993年推出的英特尔P5 Pentium处理器，具有60M赫兹和66M赫兹。