| dbo:abstract
|
- Una cèl·lula fotoconductora, cèl·lula fotoresistiva, fotoresistència o LDR és un dispositiu electrònic semiconductor emprat per produir un senyal de sortida en resposta a un altre senyal d'entrada (una resistència) que té la propietat de variar el seu valor en funció de la intensitat de la llum incident. En presència d'una gran intensitat de llum la seva resistència elèctrica és baixa, de l'ordre dels 100 Ω. En canvi a les fosques, sense llum, la seva resistència és alta, de l'ordre de 10 MΩ. Una fotoresistència està feta d'un semiconductor d'alta resistència. Si la llum que incideix en el dispositiu supera certa freqüència, els fotons absorbits pel semiconductor donen als electrons lligats l'energia suficient per saltar a la banda de conducció. L'electró lliure que en resulta (i el seu forat associat) condueix l'electricitat, disminuint així la resistència. Un dispositiu fotoelèctric pot ser intrínsec o extrínsec. En els dispositius intrínsecs, els únics electrons disponibles estan en la banda de la valència, per tant el fotó ha de tenir prou energia per a excitar un electró a través de tota la banda prohibida. Els dispositius extrínsecs tenen impureses afegides, que tenen energia d'estat més proper a la banda de conducció, ja que els electrons no han saltar lluny, els fotons amb menys energia (és a dir, els de major longitud d'ona i freqüència més baixa) són suficients per activar el dispositiu. (ca)
- Fotorezistor (dříve označován jako fotoodpor) je pasivní elektronická součástka bez PN přechodu, jejíž elektrický odpor se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje. (cs)
- المقاومة الضوئية (بالإنجليزية:Light Dependent Resistor) ويرمز لها اختصارا LDR هي مقاومة كهربائية حساسة للضوء، تقل مقاومتها عند شدة سطوع الضوء عليها. وبسبب هذه الخاصية يستفيد منها الفنيون وواضعوا الدوائر الكهربائية تستخدم تلك الخاصية لأداء أعمال كثيرة، تستغل خاصية تأثر المقاومة بالضوء فهناك دوائر إنذار بالضوء وأيضا إنذار بالظلام. ومن أشهر تطبيقاتها ، حيث تستعمل للتشغيل والإطفاء الآلي. يطلق على هذه النبيطة ([الإنجليزية: Semiconductor device) اسم آخر هو الموصل الضوئي.في الظلام يكون لدى هذه الأداة مقاومة تبلغ 1000000 Ω أي ميغاوم (ΩM), لكن عند تعرضها للسطوع الضوئي تقل هذ المقاومة لتبلغ بضع مئات أوم (ar)
- Οι φωτοαντιστάσεις (ή φωτοαντιστάτες) είναι μεταβλητοί αντιστάτες των οποίων η αντίσταση μεταβάλλεται ανάλογα με την φωτεινότητα. Όσο μεγαλύτερη είναι η φωτεινότητα τόσο μικρότερη είναι η αντίσταση. Με το να τους συνδέσουμε με τάση και γείωση και μετά να παρεμβάλουμε ένα καλώδιο για να παίρνουμε τιμές, μπορούμε να βρούμε την φωτεινότητα. Ουσιαστικά η φωτοαντίσταση μεταφράζει την ποσότητα φωτός που πέφτει σε μια ευαίσθητη περιοχή σε ένα χρήσιμο ηλεκτρικό σήμα. Στη συνέχεια, το σήμα μπορεί να υποβληθεί σε επεξεργασία με κύκλωμα αναλογικής, ψηφιακής λογικής ή μικροελεγκτή. (el)
- Ein Fotowiderstand, auch Photowiderstand oder LDR von englisch Light Dependent Resistor, ist ein lichtempfindlicher elektrischer Widerstand. Je mehr Licht auf den Fotowiderstand fällt, desto kleiner wird sein Widerstand. Im Vergleich zu anderen lichtempfindlichen elektronischen Bauelementen wie Fotodioden reagieren Fotowiderstände sehr langsam. (de)
- Un excitador o fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia se modifica, (normalmente disminuye) con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula fotorreceptora y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico. El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (varios megaohmios). (es)
- A photoresistor (also known as a photocell, or light-dependent resistor, LDR, or photo-conductive cell) is a passive component that decreases resistance with respect to receiving luminosity (light) on the component's sensitive surface. The resistance of a photoresistor decreases with increase in incident light intensity; in other words, it exhibits photoconductivity. A photoresistor can be applied in light-sensitive detector circuits and light-activated and dark-activated switching circuits acting as a resistance semiconductor. In the dark, a photoresistor can have a resistance as high as several megaohms (MΩ), while in the light, a photoresistor can have a resistance as low as a few hundred ohms. If incident light on a photoresistor exceeds a certain frequency, photons absorbed by the semiconductor give bound electrons enough energy to jump into the conduction band. The resulting free electrons (and their hole partners) conduct electricity, thereby lowering resistance. The resistance range and sensitivity of a photoresistor can substantially differ among dissimilar devices. Moreover, unique photoresistors may react substantially differently to photons within certain wavelength bands. A photoelectric device can be either intrinsic or extrinsic. An intrinsic semiconductor has its own charge carriers and is not an efficient semiconductor, for example, silicon. In intrinsic devices, most of the available electrons are in the valence band, and hence the photon must have enough energy to excite the electron across the entire bandgap. Extrinsic devices have impurities, also called dopants, added whose ground state energy is closer to the conduction band; since the electrons do not have as far to jump, lower energy photons (that is, longer wavelengths and lower frequencies) are sufficient to trigger the device. If a sample of silicon has some of its atoms replaced by phosphorus atoms (impurities), there will be extra electrons available for conduction. This is an example of an extrinsic semiconductor. (en)
- Resistor peka cahaya atau fotoresistor adalah komponen elektronik yang resistansinya akan menurun jika ada penambahan intensitas cahaya yang mengenainya. Fotoresistor dapat merujuk pula pada light-dependent resistor (LDR), atau fotokonduktor. Fotoresistor dibuat dari semikonduktor beresistansi tinggi yang tidak dilindungi dari cahaya. Jika cahaya yang mengenainya memiliki frekuensi yang cukup tinggi, foton yang diserap oleh semikonduktor akan menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk meloncat ke . Elektron bebas yang dihasilkan (dan pasangan ) akan mengalirkan listrik, sehingga menurunkan resistansinya. (in)
- Une photorésistance (également appelée résistance photogénique, cellule photoconductrice ou cellule photoéléctrique) est un composant électronique dont la résistivité varie en fonction de la quantité de lumière incidente : plus elle est éclairée, plus sa résistivité baisse. (fr)
- フォトレジスタ（英: photoresistor）とは、入射する光の強度が増加すると電気抵抗が低下する電子部品である。光依存性抵抗（LDR）や 光導電体、フォトセルとも呼ばれる。 フォトレジスタは、高抵抗の半導体でできている。充分に周波数の高い光が素子に入ると、半導体に吸収された光子のエネルギーにより束縛電子が伝導帯に飛び込む。結果として生じる自由電子（と対になるホール）によって電流が流れ、電気抵抗が低くなる。 光電素子には、内因性・外因性のどちらもある。内因性の素子では価電子帯にだけ存在する電子がバンドギャップを越えなければならず、その励起に相当する以上のエネルギーを持つ光子が必要になる。外因性の素子には伝導帯に近い基底状態エネルギーを持つ不純物が加えられているので電子が遠くまで飛ばなくてもよく、エネルギーの低い（波長が長い、周波数が低い）光子でも充分に機能する。 半導体に真性半導体を用いるイントリンシック形と、n形やp形半導体を用いるエキシトリンシック形がある。エキシトリンシック形は、エネルギーギャップよりも小さいエネルギーの光で電子を励起できるので、より長い波長領域に感度があるという特徴がある。 (ja)
- ( 비슷한 이름의 포토레지스트에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오.) 포토레지스터(photoresistor)는 빛의 양에 따라 값이 변하는 저항기이다. 광의존 저항기(light-dependent resistor, LDR)라고도 한다. 빛의 양이 크면 전기 저항이 줄어드는 을 띈다. 빛을 검출하는 전기회로나 빛의 유무에 따라 열리고 닫히는 스위치 회로에 적용될 수 있다. 포토레지스터는 높은 저항 값을 갖는 반도체로 만든다. 빛이 없는 상태일 때 메가 옴(MΩ) 크기의 저항 값을 지니며 빛이 커질수록 전기 저항이 낮아져 몇 백 옴 크기까지 저항 값이 낮아지게 된다. 작동 범위 내의 특정 주파수를 갖는 빛이 반도체에 전달되면 전자가 방출되어 저항기는 전도 대역에 다다르게 된다. 이에 따라 자유 전자와 정공이 형성되고 저항 값이 낮아지게 된다. 저항 값의 범위와 민감도는 사용된 반도체의 종류에 따라 다르다. 반도체를 사용하는 다른 전자 부품들과 마찬가지로 포토레지스터 역시 진성 포토레지스터와 외인성 포토레지스터로 구분할 수 있다. 진성 소자는 자체적인 전하 운반자를 지니고 있고 규소와 같이 효율이 낮은 물질을 사용한다. 진성 포토레지스터에서 활성 전자는 오직 원자가띠 대역에만 존재하기 때문에 자유 전자를 형성하려면 광자가 전달하는 에너지가 띠틈을 넘어설 수 있을 만큼 충분해야 한다. 외인성 포토레지더는 반도체에 라고 불리는 소량의 불순물이 포함되어 보다 적은 에너지로도 전도 대역으로 점프할 수 있다. (ko)
- La fotoresistenza (o fotoresistore) è un componente elettronico la cui resistenza è inversamente proporzionale alla quantità di luce che lo colpisce. Si comporta come un normale resistore, ma il suo valore in ohm diminuisce a mano a mano che aumenta l'intensità della luce che la colpisce. Ciò comporta che la corrente elettrica che transita attraverso tale componente è proporzionale all'intensità di una sorgente luminosa. In tale maniera si realizza una sorta di potenziometro attuabile tramite la luce anziché tramite forze meccaniche o segnali elettrici. (it)
- Een lichtgevoelige weerstand of LDR (light-dependent resistor) is een elektrische component waarvan de weerstand beïnvloed wordt door de hoeveelheid licht die erop valt. De weerstandswaarde van een LDR wordt kleiner, naarmate de LDR sterker wordt belicht. Hierdoor kan de waarde van de weerstand sterk variëren. Het gebruikte materiaal is meestal cadmiumsulfide, de weerstand in onbelichte toestand (donkerweerstand) bedraagt 1-10 MΩ, terwijl de weerstand bij belichting (lichtweerstand) (afhankelijk van het type en de hoeveelheid licht) 75-300 Ω is. LDR's reageren tamelijk traag. Met name het opbouwen van de donkerweerstand heeft een halfwaardetijd in de grootteorde van enige honderden milliseconden. (nl)
- Fotomotstånd eller LDR (Light Dependent Resistor) är en passiv elektronisk komponent med en resistans som beror på ljusintensitet. Fotoresistorer är tillverkad av ett halvledarmaterial som kadmiumsulfid. Ljus exciterar elektroner till ledningsbandet och konduktiviteten tilltar med ökande ljusintensitet. Ett fotomotstånd kan fungera som ljusdetektor. (sv)
- Fotorezystor (ang. Photoresistor), fotoopornik, opornik fotoelektryczny – element półprzewodnikowy, którego rezystancja ulega zmianie pod wpływem padającego na jego powierzchnię promieniowania elektromagnetycznego na przykład promieniowania widzialnego lub podczerwieni. Rezystancja elementu zależy od natężenia oświetlenia fotorezystora, jego rezystancja w ciemności jest bardzo duża i może osiągnąć wartość rzędu megaomów, przy silnym oświetleniu może zmaleć do kilku omów. (pl)
- Um resistor dependente de luz (português brasileiro) ou fotorresistência (português europeu), conhecido pela sigla inglesa LDR (Light Dependent Resistor), é um componente eletrônico passivo do tipo resistor variável, mais especificamente, é um resistor cuja resistência varia conforme a intensidade da luz (iluminamento) que incide sobre ele. Tipicamente, à medida que a intensidade da luz aumenta, a sua resistência diminui.O LDR é construído a partir de material semicondutor com elevada resistência elétrica. Quando a luz que incide sobre o semicondutor tem uma frequência suficiente, os fótons que incidem sobre o semicondutor libertam elétrons para a banda condutora que irão melhorar a sua condutividade e assim diminuir a resistência.Um multímetro pode ser usado para encontrar a resistência na escuridão ou na presença de luz intensa. Os resultados típicos para um LDR poderão ser:
* Escuridão : resistência máxima, geralmente mega ohms.
* Luz muito brilhante : resistência mínima, geralmente dezenas de ohms. (pt)
- Фоторези́стор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач +- випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом. Характеризується однаковою провідністю незалежно від напрямку протікання струму. Найпопулярнішим напівпровідником для виготовлення фоторезисторів, є сульфід кадмію (CdS). (uk)
- Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n-перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока. Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом. (ru)
- 光敏电阻（英語：Photoresistor），又稱光电阻、光導體、光导管，是利用光电导效应的一种特殊的电阻，它的电阻和入射光的强弱有直接关系。光强度增加，则电阻减小；光强度减小，则电阻增大。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- Fotorezistor (dříve označován jako fotoodpor) je pasivní elektronická součástka bez PN přechodu, jejíž elektrický odpor se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje. (cs)
- المقاومة الضوئية (بالإنجليزية:Light Dependent Resistor) ويرمز لها اختصارا LDR هي مقاومة كهربائية حساسة للضوء، تقل مقاومتها عند شدة سطوع الضوء عليها. وبسبب هذه الخاصية يستفيد منها الفنيون وواضعوا الدوائر الكهربائية تستخدم تلك الخاصية لأداء أعمال كثيرة، تستغل خاصية تأثر المقاومة بالضوء فهناك دوائر إنذار بالضوء وأيضا إنذار بالظلام. ومن أشهر تطبيقاتها ، حيث تستعمل للتشغيل والإطفاء الآلي. يطلق على هذه النبيطة ([الإنجليزية: Semiconductor device) اسم آخر هو الموصل الضوئي.في الظلام يكون لدى هذه الأداة مقاومة تبلغ 1000000 Ω أي ميغاوم (ΩM), لكن عند تعرضها للسطوع الضوئي تقل هذ المقاومة لتبلغ بضع مئات أوم (ar)
- Οι φωτοαντιστάσεις (ή φωτοαντιστάτες) είναι μεταβλητοί αντιστάτες των οποίων η αντίσταση μεταβάλλεται ανάλογα με την φωτεινότητα. Όσο μεγαλύτερη είναι η φωτεινότητα τόσο μικρότερη είναι η αντίσταση. Με το να τους συνδέσουμε με τάση και γείωση και μετά να παρεμβάλουμε ένα καλώδιο για να παίρνουμε τιμές, μπορούμε να βρούμε την φωτεινότητα. Ουσιαστικά η φωτοαντίσταση μεταφράζει την ποσότητα φωτός που πέφτει σε μια ευαίσθητη περιοχή σε ένα χρήσιμο ηλεκτρικό σήμα. Στη συνέχεια, το σήμα μπορεί να υποβληθεί σε επεξεργασία με κύκλωμα αναλογικής, ψηφιακής λογικής ή μικροελεγκτή. (el)
- Ein Fotowiderstand, auch Photowiderstand oder LDR von englisch Light Dependent Resistor, ist ein lichtempfindlicher elektrischer Widerstand. Je mehr Licht auf den Fotowiderstand fällt, desto kleiner wird sein Widerstand. Im Vergleich zu anderen lichtempfindlichen elektronischen Bauelementen wie Fotodioden reagieren Fotowiderstände sehr langsam. (de)
- Une photorésistance (également appelée résistance photogénique, cellule photoconductrice ou cellule photoéléctrique) est un composant électronique dont la résistivité varie en fonction de la quantité de lumière incidente : plus elle est éclairée, plus sa résistivité baisse. (fr)
- フォトレジスタ（英: photoresistor）とは、入射する光の強度が増加すると電気抵抗が低下する電子部品である。光依存性抵抗（LDR）や 光導電体、フォトセルとも呼ばれる。 フォトレジスタは、高抵抗の半導体でできている。充分に周波数の高い光が素子に入ると、半導体に吸収された光子のエネルギーにより束縛電子が伝導帯に飛び込む。結果として生じる自由電子（と対になるホール）によって電流が流れ、電気抵抗が低くなる。 光電素子には、内因性・外因性のどちらもある。内因性の素子では価電子帯にだけ存在する電子がバンドギャップを越えなければならず、その励起に相当する以上のエネルギーを持つ光子が必要になる。外因性の素子には伝導帯に近い基底状態エネルギーを持つ不純物が加えられているので電子が遠くまで飛ばなくてもよく、エネルギーの低い（波長が長い、周波数が低い）光子でも充分に機能する。 半導体に真性半導体を用いるイントリンシック形と、n形やp形半導体を用いるエキシトリンシック形がある。エキシトリンシック形は、エネルギーギャップよりも小さいエネルギーの光で電子を励起できるので、より長い波長領域に感度があるという特徴がある。 (ja)
- La fotoresistenza (o fotoresistore) è un componente elettronico la cui resistenza è inversamente proporzionale alla quantità di luce che lo colpisce. Si comporta come un normale resistore, ma il suo valore in ohm diminuisce a mano a mano che aumenta l'intensità della luce che la colpisce. Ciò comporta che la corrente elettrica che transita attraverso tale componente è proporzionale all'intensità di una sorgente luminosa. In tale maniera si realizza una sorta di potenziometro attuabile tramite la luce anziché tramite forze meccaniche o segnali elettrici. (it)
- Fotomotstånd eller LDR (Light Dependent Resistor) är en passiv elektronisk komponent med en resistans som beror på ljusintensitet. Fotoresistorer är tillverkad av ett halvledarmaterial som kadmiumsulfid. Ljus exciterar elektroner till ledningsbandet och konduktiviteten tilltar med ökande ljusintensitet. Ett fotomotstånd kan fungera som ljusdetektor. (sv)
- Fotorezystor (ang. Photoresistor), fotoopornik, opornik fotoelektryczny – element półprzewodnikowy, którego rezystancja ulega zmianie pod wpływem padającego na jego powierzchnię promieniowania elektromagnetycznego na przykład promieniowania widzialnego lub podczerwieni. Rezystancja elementu zależy od natężenia oświetlenia fotorezystora, jego rezystancja w ciemności jest bardzo duża i może osiągnąć wartość rzędu megaomów, przy silnym oświetleniu może zmaleć do kilku omów. (pl)
- Фоторези́стор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач +- випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом. Характеризується однаковою провідністю незалежно від напрямку протікання струму. Найпопулярнішим напівпровідником для виготовлення фоторезисторів, є сульфід кадмію (CdS). (uk)
- Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n-перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока. Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом. (ru)
- 光敏电阻（英語：Photoresistor），又稱光电阻、光導體、光导管，是利用光电导效应的一种特殊的电阻，它的电阻和入射光的强弱有直接关系。光强度增加，则电阻减小；光强度减小，则电阻增大。 (zh)
- Una cèl·lula fotoconductora, cèl·lula fotoresistiva, fotoresistència o LDR és un dispositiu electrònic semiconductor emprat per produir un senyal de sortida en resposta a un altre senyal d'entrada (una resistència) que té la propietat de variar el seu valor en funció de la intensitat de la llum incident. En presència d'una gran intensitat de llum la seva resistència elèctrica és baixa, de l'ordre dels 100 Ω. En canvi a les fosques, sense llum, la seva resistència és alta, de l'ordre de 10 MΩ. (ca)
- Un excitador o fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia se modifica, (normalmente disminuye) con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula fotorreceptora y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico. (es)
- A photoresistor (also known as a photocell, or light-dependent resistor, LDR, or photo-conductive cell) is a passive component that decreases resistance with respect to receiving luminosity (light) on the component's sensitive surface. The resistance of a photoresistor decreases with increase in incident light intensity; in other words, it exhibits photoconductivity. A photoresistor can be applied in light-sensitive detector circuits and light-activated and dark-activated switching circuits acting as a resistance semiconductor. In the dark, a photoresistor can have a resistance as high as several megaohms (MΩ), while in the light, a photoresistor can have a resistance as low as a few hundred ohms. If incident light on a photoresistor exceeds a certain frequency, photons absorbed by the sem (en)
- Resistor peka cahaya atau fotoresistor adalah komponen elektronik yang resistansinya akan menurun jika ada penambahan intensitas cahaya yang mengenainya. Fotoresistor dapat merujuk pula pada light-dependent resistor (LDR), atau fotokonduktor. (in)
- ( 비슷한 이름의 포토레지스트에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오.) 포토레지스터(photoresistor)는 빛의 양에 따라 값이 변하는 저항기이다. 광의존 저항기(light-dependent resistor, LDR)라고도 한다. 빛의 양이 크면 전기 저항이 줄어드는 을 띈다. 빛을 검출하는 전기회로나 빛의 유무에 따라 열리고 닫히는 스위치 회로에 적용될 수 있다. 포토레지스터는 높은 저항 값을 갖는 반도체로 만든다. 빛이 없는 상태일 때 메가 옴(MΩ) 크기의 저항 값을 지니며 빛이 커질수록 전기 저항이 낮아져 몇 백 옴 크기까지 저항 값이 낮아지게 된다. 작동 범위 내의 특정 주파수를 갖는 빛이 반도체에 전달되면 전자가 방출되어 저항기는 전도 대역에 다다르게 된다. 이에 따라 자유 전자와 정공이 형성되고 저항 값이 낮아지게 된다. 저항 값의 범위와 민감도는 사용된 반도체의 종류에 따라 다르다. (ko)
- Een lichtgevoelige weerstand of LDR (light-dependent resistor) is een elektrische component waarvan de weerstand beïnvloed wordt door de hoeveelheid licht die erop valt. De weerstandswaarde van een LDR wordt kleiner, naarmate de LDR sterker wordt belicht. Hierdoor kan de waarde van de weerstand sterk variëren. Het gebruikte materiaal is meestal cadmiumsulfide, de weerstand in onbelichte toestand (donkerweerstand) bedraagt 1-10 MΩ, terwijl de weerstand bij belichting (lichtweerstand) (afhankelijk van het type en de hoeveelheid licht) 75-300 Ω is. (nl)
- Um resistor dependente de luz (português brasileiro) ou fotorresistência (português europeu), conhecido pela sigla inglesa LDR (Light Dependent Resistor), é um componente eletrônico passivo do tipo resistor variável, mais especificamente, é um resistor cuja resistência varia conforme a intensidade da luz (iluminamento) que incide sobre ele. Tipicamente, à medida que a intensidade da luz aumenta, a sua resistência diminui.O LDR é construído a partir de material semicondutor com elevada resistência elétrica. Quando a luz que incide sobre o semicondutor tem uma frequência suficiente, os fótons que incidem sobre o semicondutor libertam elétrons para a banda condutora que irão melhorar a sua condutividade e assim diminuir a resistência.Um multímetro pode ser usado para encontrar a resistência n (pt)
|