Pastilă (semiconductor)

Pentru obținerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizează procedee de creștere din topitură în incinte închise în atmosferă reducătoare de hidrogen, după metoda Csochralsky. Incintele închise sunt utilizate pentru creșterea monocristalelor de dimensiuni mari, evitându-se astfel impurificarea accidentală. Procesul este inițiat cu ajutorul unui cristal monocristalin, care se coboară în topitură, acesta se topește parțial și ulterior se extrage apoi treptat din topitură cu o viteză mică, între 1-2mm/min. Procedeul se bazează pe existența unui gradient de temperatură și pe migrarea moleculelor din starea lichidă către cristal, datorită răcirii. Semiconductorul topit cristalizează pe germene și repetă structura acestuia, obținându-se în final o bară monocristalină ce are structura cristalină identică cu structura germenului.

•  
  Fotografia pastilei de siliciu pentru tranzistor 2N2222.
•  
  Fotografia unui LED SMD RGB 5050, se observă cele trei pastile LED, câte una pentru fiecare culoare
•  
  Fotografia pastilei unui circuit integrat
•  
  ST62E40 microcontroler pe 8 biţi cu EPROM, drivere pentru LCD, EEPROM şi convertor A/D.
•  
  Un microprocesor Pentium Pro
•  
  OPA103A un amplificator operaţional fabricat de Burr-Brown
•  
  ICM7107 Un circuit convertor A/D pe 3 şi 1/2 Digiţi.
•  
  Fotografie pastilei de siliciu pentru circuitul TTL SN7400 fabricat în 1965.

• Minescu, Mihail; Avramescu, Viorela (2003). Tehnologii electronice. Ploiești: Editura UPG. ISBN 973-8150-71-X. 
• Teodorescu, Dan (1985). Introducere in microelectronica. Timișoara: Editura Facla. 
• Scheianu, Dumitru (1988). Microelectronica - Circuite integrate, structuri, aplicații. București: Editura Militară. 

Portal Electrotehnică

•   Materiale media legate de Pastilă la Wikimedia Commons