Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Манохин А. И., Полесский С. Н.
Издательство ПетрГУ, 2024.
Каган М. Ю., Буздин А., Воловик Г. и др.
Успехи физических наук. 2024. Т. 194. № 12. С. 1349-1350.
В кн.: Тезисы докладов ХV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящённой 300–летию Российской академии наук (г. Уфа, 6–9 октября 2024 г.). Уфа: РИЦ УУНиТ, 2024. С. 138-139.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
На семинаре были представлены доклады по материалам диссертационных исследований, выполняемых аспирантами МИЭМ. Научный руководитель - Гольцман Григорий Наумович, д.ф.-м.н., профессор.
1. Технология создания микрополосковых резонаторов на основе сверхтонких сверхпроводящих пленок
- Давыдченко Михаил Александрович
Представлены данные о полосе преобразования металлического болометра на основе пленки Nb, осажденной поверх Sp подложки, способного работать в широком диапазоне температур от 77 до 300 К. Выбор комбинации Nb/Sp, обусловлен хорошей теплопроводностью интерфейса пленка/подложка в этой паре и достаточным температурным коэффициентом сопротивления, который определяет чувствительность детектора.
2. Экспериментальное исследование зонной структуры одиночных углеродных нанотрубок в неравновесных системах
- Матюшкин Яков Евгеньевич
Представлены результаты последних экспериментов по взаимодействию одиночных углеродных нанотрубок с циркулярно поляризованным терагерцовым излучением. Существуют теоретические работы, в которых описывается резонансный фотоотклик, связанный с интерференцией плазменных волн в полевых транзисторах на основе графена. В проведенном эксперименте также наблюдалась интерференция плазменных волн в коммерчески доступном графене, но плазменные волны в нем быстро затухали, из-за чего детектор работал в нерезонансном режиме. Грубые оценки по модели Друде показывают, что время релаксации, а, следовательно, и длина затухания плазменных волн в одиночных трубках на порядок выше, чем в графене. Кроме того, существует множество работ, в которых демонстрируется фотоотклик в полевых транзисторах на основе углеродных нанотрубок. Вышеизложенное побудило нас исследовать фотоотклик полевых транзисторов на основе одиночных УНТ на циркулярно поляризованное ТГц излучение разной хиральности. Модель Качаровского предсказывает, что в транзисторных детекторах с асимметричной антенной фотоотклик на циркулярно поляризованное излучение разной хиральности должен сильно отличаться (вплоть до смены знака) при легировании канала транзистора электронами (это связано с интерференцией плазменных волн). Нам удалось экспериментально продемонстрировать этот эффект, потдвердить модель, и показать, что УНТ можно использовать для поляризационно- и фазо- чувствительного детектирования ТГц излучения.
3. Квантовая томография сверхпроводникового однофотонного детектора
- Полякова Маргарита Игоревна
Функциональность сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD) основана на локальном подавлении сверхпроводящего параметра порядка при поглощении фотонов, вызывая изменение сопротивления, которое может быть преобразовано в записываемый сигнал электрического напряжения. Горячие пятна, возникающие в результате поглощения фотонов, являются ключевым звеном в работе SSPD. В работе представлен протокол квантовой томографии детектора, позволяющий без неоднозначности измерить эффективность двухпятенного обнаружения и извлечь длину взаимодействия горячих пятен сверхпроводникового однофотонного детектора с внутренней эффективностью обнаружения, равной единице. Также идентифицируется значительный паразитный вклад в измеренную двухпятенную эффективность, связанный с эффектом схемы смещения, и показан способ исключения этого вклада во время постобработки данных и непосредственно в эксперименте.