Eine Raumladungszone (RLZ) ist in Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone nach aussen ladungsneutral erscheint. Die RLZ entsteht durch Drift der negativen Ladungsträger in das P-Gebiet(P-dotiert). Zwischen den Raumladungen entsteht im Inneren des Kristalls ein elektrisches Feld, das so gerichtet ist, dass es der weiteren Drift von beweglichen Ladungsträgern entgegen wirkt. Die Breite der RLZ ist temperaturabhängig. Sie lässt sich gezielt über eine von außen angelegte Spannung verändern. Legt man eine vom P-Gebiet zum N-Gebiet gerichtete Spannung an, so wird die RLZ breiter, kehrt man die Spannung um, so wird die RLZ schmaler.
