„Raumladungszone“ – Versionsunterschied
| [gesichtete Version] | [gesichtete Version] |
Inhalt gelöscht Inhalt hinzugefügt
K Bot: Ergänze: ht:Kouch deplesyon |
Xqbot (Diskussion | Beiträge) K Bot: Ändere: he:אזור מחסור; kosmetische Änderungen |
||
Zeile 1:
[[
Eine '''Raumladungszone''' (RLZ) (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt) ist in [[Halbleiter]]n ein Bereich, in dem sich [[Raumladung]]en mit Überschuss und Mangel an [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträgern]] gegenüberstehen, so dass diese Zone nach außen ladungsneutral erscheint.
== Entstehung ==
[[
Die RLZ entsteht durch Diffusion der Ladungsträger in das jeweilig anders dotierte Gebiet (siehe [[p-n-Übergang]]), Ursache ist der durch die unterschiedliche [[Dotierung]] vorhandene [[Konzentrationsgefälle
Die Breite der RLZ ist temperaturabhängig und lässt sich zusätzlich über eine von außen angelegte Spannung gezielt verändern. Wird eine vom n-Gebiet zum p-Gebiet gerichtete Spannung angelegt (höheres elektrisches Potential am n-Gebiet), so wird die RLZ mit zunehmender Spannung breiter. Wird hingegen eine dazu entgegengerichtete Spannung angelegt, wirkt diese der [[Diffusionsspannung]] entgegen und das elektrische Gegenfeld wird abgebaut. Die RLZ wird mit zunehmender Spannung schmaler, bis der p-n-Übergang leitfähig wird.
Zeile 27:
* <math>q</math> der [[Elektrische Ladung|elektrischen Ladung]]
== Weblinks ==
* [http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/diode1.htm Java-Simulationen]
Zeile 34:
[[en:Depletion region]]
[[he:אזור
[[ht:Kouch deplesyon]]
[[it:Regione di carica spaziale]]
| |||