„Raumladungszone“ – Versionsunterschied
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# Im Sperrfall, es wird der p-Halbleiter mit einer negativen Spannung gegenüber dem n-Halbleiter beaufschlagt, verstärkt sich die elektrische Feldstärke im Bereich der Raumladungszone. Die Raumladungszone nimmt in der Größe zu, der Driftstrom nimmt in Folge zu und der Diffusionsstrom nimmt ab, bis sich ein neues Gleichgewicht einstellt. Da die Dichte an freien Ladungsträgern in der Raumladungszone gering bleibt, ist die elektrische Leitfähigkeit gering und auf einen kleinen [[Sperrstrom]] beschränkt. Wird die externe Spannung weiter gesteigert, kommt es, je nach Aufbau des Halbleiters, zu verschiedenen Durchbrüchen wie dem [[Zener-Effekt]] und bei größeren Feldstärken zum [[Lawinendurchbruch]]. Diese Durchbruchseffekte können unkontrolliert zur Zerstörung des Halbleitermaterials führen oder auch gezielt angewendet werden, wie es bei den [[Zener-Diode]]n der Fall ist.
# Im Durchlassfall, es wird der p-Halbleiter mit einer positiven Spannung gegenüber dem n-Halbleiter beaufschlagt, verringert sich die Raumladungszone, da das durch die externe Spannung ausgelöste elektrische Feld dem elektrischen Feld der Raumladungszone entgegenwirkt. Ab einer vom Halbleitermaterial abhängigen [[Schwellenspannung]] verschwindet die Raumladungszone, der
Raumladungszonen bilden sich neben n- und p-dotierenden Halbleiter auch an [[Metall-Halbleiter-Kontakt]]en aus und können zu gleichrichtenden Verhalten dieser Kontakte führen, dem sogenannten [[Schottky-Kontakt]] welcher in [[Schottky-Diode]]n Anwendung findet. Durch die hohe Anzahl von freien Elektronen im Metall beschränkt sich die Raumladungszone allerdings fast nur auf das entsprechende Halbleitergebiet.
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