„Raumladungszone“ – Versionsunterschied

Eine '''Raumladungszone''' (RLZ), auch '''Verarmungszone''' oder '''Sperrschicht''' genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich [[Dotierung|dotierten]] [[Halbleiter]]n ein Bereich, in dem sich [[Raumladung]]en mit Überschuss und Mangel an [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträgern]] gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint. Je nach Polarität einer von aussenaußen angelegten [[elektrische Spannung|elektrischen Spannung]], damit verknüpft ergeben sich unterschiedliche [[elektrisches Feld|elektrische Feldkonfigurationen]] im Bereich der Verarmungszone, ist dieser Bereich im Halbleiter gut oder nur sehr schwach elektrisch leitfähig. Dieser physikalische Effekt stellt die Grundlage für die [[Gleichrichter|gleichrichtende]] Funktion des Halbleiterbauelements einer [[Diode]] dar. Neben Dioden spielen Raumladungszonen auch in anderen elektronischen Bauelementen wie [[Bipolartransistor]]en oder [[Sperrschicht-Feldeffekttransistor]]en eine grundlegende Rolle.