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Raumladungszonen bilden sich neben n- und und p-dotierenden Halbleiter auch an [[Metall-Halbleiter-Kontakt]]en aus und können zu gleichrichtenden Verhalten dieser Kontakte führen, dem sogenannten [[Schottky-Kontakt]] welcher in [[Schottky-Diode]]n Anwendung findet. Durch die hohe Anzahl von freien Elektronen im Metall beschränkt sich die Raumladungszone allerdings fast nur auf das entsprechende Halbleitergebiet.
== Geometrische Berechnung ==
[[Datei:Pn-junction-equilibrium-graph.svg|thumb|right|Oben: Elektronen- und Löcherkonzentration; Mitte (oben): Ladungsträgerdichten; Mitte (unten): Elektrisches Feld; Unten: Elektrisches Potential]]
Die Größe (Weite) der Raumladungszone lässt sich mit folgenden Gleichungen bestimmen:
:<math>w_\mathrm{RLZ} = x_\mathrm{n} + x_\mathrm{p} = \sqrt{\frac{2\epsilon}{q}\cdot \frac{N_\mathrm{A} + N_\mathrm{D}}{N_\mathrm{A}N_\mathrm{D}} \cdot (U_\mathrm{D} - U)}</math>
:<math>x_\mathrm{p} = \sqrt{\frac{2\epsilon}{q}\cdot \frac{N_\mathrm{D}}{N_\mathrm{A}}\cdot \frac{1}{N_\mathrm{A}+N_\mathrm{D}}\cdot (U_\mathrm{D} - U)}</math>
:<math>x_\mathrm{n} = \sqrt{\frac{2\epsilon}{q}\cdot \frac{N_\mathrm{A}}{N_\mathrm{D}}\cdot \frac{1}{N_\mathrm{A}+N_\mathrm{D}}\cdot (U_\mathrm{D} - U)}</math>
mit:
* <math>U</math> der angelegten Spannung
* <math>U_\mathrm{D}</math> die Diffusionsspannung, manchmal auch als „{{lang|en|built-in}}“-Spannung <math>U_\mathrm{bi}</math> bezeichnet
* <math>w_\mathrm{RLZ}</math> der Weite der Raumladungszone
* <math>x_\mathrm{n}</math> der Rand der Raumladungszone im n-dotierten Gebiet
* <math>x_\mathrm{p}</math> der Rand der Raumladungszone im p-dotierten Gebiet
* <math>N_\mathrm{A}</math> der Akzeptorkonzentration im p-dotierten Gebiet
* <math>N_\mathrm{D}</math> der Donatorkonzentration im n-dotierten Gebiet
* <math>\epsilon</math> der [[Dielektrizitätskonstante]]
* <math>q</math> der [[Elektrische Ladung|elektrischen Ladung]]
== Literatur ==
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