Morgan Sparks

Sparks wurde in Pagosa Springs, Colorado, als Sohn von Harry Lysinger und Pearl (Morgan) Sparks geboren und wuchs in Texas auf. Nach einem Chemiestudium an der Rice University (Bachelor of Arts 1938, Master of Arts 1940) wurde er 1943 an der University of Illinois im Bereich physikalische Chemie promoviert (Ph.D.) – als Stipendiat der Rockefeller-Stiftung. Nach seiner akademischen Ausbildung fand er 1943 eine Anstellung bei den Bell Laboratories. 1948 stieß er zur Arbeitsgruppe von William B. Shockley, die den ersten Transistor entwickelt hatte. Zusammen mit Gordon Teal entwickelte Sparks Teals Methode der Kristallisation von hochreinen (von Verunreinigungen freien) Germanium-Einkristallen weiter, so dass sie einen „gezogenen/gewachsenen pn-Übergang“ (engl. grown junction) aufwiesen.^[1] Dazu wurden der Schmelze während des Kristallziehens (Czochralski-Verfahren) gezielt Verunreinigungen beigesetzt, die dann in den Kristall eingebaut wurden. Das Verfahren wurde im Jahre 1950 zum Patent angemeldet.^[2][3] Auf dieser Technik basierte die Herstellung des ersten npn-Transistors, vgl. gezogener Transistor.^[4] Sie ermöglichte eine gegenüber dem Spitzentransistor relativ einfache und kostengünstige Herstellung einer großen Zahl von Bipolartransistoren mit ähnlichen/gleichen elektrischen Eigenschaften, wie sie für elektronische Schaltungen notwendig sind. Der gezogene Transistor wurde einige Jahre später durch den Legierungstransistor und dieser wiederum durch den Diffusionstransistor verdrängt.

Am 30. April 1949 heiratete er Elizabeth MacEvoy († 2006), die damalige Sekretärin von Shockley, mit der er zwei Söhne und zwei Töchter hatte.

1972 übernahm er die Leitung der Sandia National Laboratories, die unter der Schirmherrschaft des Mutterkonzerns der Bell Labs, AT&T, standen, und formte die Forschungsabteilung um. Er blieb bis zu seiner Pensionierung 1981 dieser Firma treu.

Danach war er von 1981 bis 1984 Rektor der Anderson School of Management an der University of New Mexico in Albuquerque.

• 1977: Jack A. Morton Award der IEEE
• 1980: Doktorwürde (D. Sc.) der University of New Mexico

• Who's Who in America. 47. Ausgabe (1992–1993), Bd. 2, S. 3183
• American Men & Women of Science. 21. Ausgabe (2003), Bd. 6, S. 902

• Meldung zum Tod von Morgan Sparks auf heise.de
• Douglas Martin: Morgan Sparks, Bell Scientist, Dies at 91. Nekrolog in der New York Times, 8. Mai 2008 (englisch)
• Melanie Dabovich (AP): Former Sandia labs director dies (Memento vom 10. Juni 2008 im Internet Archive). Nekrolog in Las Cruces Sun-News, 6. Mai 2008 (englisch)
• Biografie von Morgan Sparks (englisch)

1. ↑ G. K. Teal, M. Sparks, E. Buehler: Growth of Germanium Single Crystals Containing p-n Junctions. In: Physical Review. Band 81, Nr. 4, 15. Februar 1951, S. 637–637, doi:10.1103/PhysRev.81.637. 
2. ↑ Patent US2631356A: Method of making P-N Junctions in Semiconductor Materials. Angemeldet am 15. Juni 1950, veröffentlicht am 17. März 1953, Anmelder: Bell Telephone Laboratories Incorporated, Erfinder: Morgan Sparks, Gordon K. Teal.‌
3. ↑ Patent DE944209C: Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern. Angemeldet am 12. Mai 1951, veröffentlicht am 7. Juni 1956, Anmelder: Western Electric Co, Erfinder: Gordon Kidd Teal.‌
4. ↑ W. Shockley, M. Sparks, G. K. Teal: p-n Junction Transistors. In: Physical Review. Band 83, Nr. 1, Juli 1951, S. 151–162, doi:10.1103/PhysRev.83.151.