Conductivitat elèctrica

La unitat del Sistema Internacional d'Unitats per a la conductivitat és el siemens per metre (S·m^-1). És a dir, A²s³m^-3kg ^-1. Es tracta de la relació entre la densitat de corrent i la intensitat del camp elèctric. Com s'ha dit més amunt, la inversa de la resistivitat.

La conductivitat es representa generalment amb la lletra grega sigma: σ. Segons el material, σ varia de 10⁸ S.m^-1 a 10^-22 S.m^-1

• Els conductors com els metalls tenen una elevada conductivitat. Els portadors de càrrega són els electrons lliures.
• Les solucions d'electròlits (que tenen ions en solució) tenen bona conductivitat, però dependrà de la natura dels ions presents a la solució i la seva concentració. La conductivitat d'una solució pot ser mesurada per mitjà d'un conductímetre.
• Els aïllants com el vidre o el buit tenen una baixa conductivitat.
• En els semiconductors la conductivitat és mitjana, però varia àmpliament sota determinades condicions, com ara l'exposició del material a camps elèctrics, a freqüències específiques de la llum i, més important, amb la temperatura. Aquestes propietats són utilitzades per crear diferents tipus de sensors.

En el cas dels sòlids cristal·lins, la llei de Nernst-Einstein, que descriu la migració de les imperfeccions o defectes cristal·lins a la xarxa cristal·lina quan són sotmeses a una força, permet de calcular la conductivitat en funció d'altres paràmetres fonamentals del material:

${\displaystyle \sigma ={\frac {Dz^{2}e^{2}c}{kT}}}$ 

on

• D és el coeficient de difusió de la imperfecció carregada considerada
• z és el nombre de càrregues portades per la imperfecció o defecte cristal·lí
• e és la càrrega elemental
• c és la concentració de la imperfecció
• k és la Constant de Boltzmann, ≈ 1,3806 × 10^-23 J.K^-1
• T és la temperatura absoluta

Aquesta llei permet calcular la velocitat de migració de les imperfeccions en funció de la intensitat de la força i del coeficient de difusió de les imperfeccions dins el cristall.

Per analitzar la conductivitat de materials sotmesos a camps elèctrics alterns, és necessari tractar la conductivitat com un nombre complex (o com una matriu de nombres complexos, en el cas del materials anisotròpics) que s'anomena admitància. Aquest mètode és utilitzat en aplicacions com la tomografia d'impedàncies, un mètode d'obtenció d'imatges per a usos industrials i mèdics. L'admitància és la suma del component real, anomenat conductivitat, i la part imaginària, anomenada susceptància.

La temperatura modifica la conductivitat elèctrica. Mentre que als materials conductors com els metalls la conductivitat disminueix a mesura que s'incrementa la temperatura, als semiconductors augmenta amb l'increment de la temperatura. Per sobre d'un determinat rang de temperatura, la conductivitat elèctrica té tendència a ser directament proporcional a la temperatura. Per tal de poder comparar les mesures de la conductivitat elèctrica a diferents temperatures, serà necessari referir-les a una temperatura comuna. Aquesta dependència s'expressa habitualment com el pendent del gràfic conductivitat-temperatura:

${\displaystyle \sigma _{T'}={\sigma _{T} \over 1+\alpha (T-T')}}$ 

on

σ_T′ és la conductivitat elèctrica a la temperatura comuna, T′

σ_T és la conductivitat elèctrica mesurada a la temperatura, T

α és el pendent de compensació de la temperatura del material,

T és la temperatura mesurada,

T′ és la temperatura comuna.

• Resistència elèctrica (propietat)
• Superconductivitat