Kopersilisied

**Eienskappe**
Algemeen
Naam	Kopersilisied

Chemiese formule	Cu₃Si
Molêre massa
CAS-nommer
Voorkoms	Grys vastestof
Fasegedrag
Selkonstantes	472 pm; alfa=95,72 (romboëdriese weergawe)^[1]
Ruimtegroep	R3 (η-fase)
Smeltpunt	868°C ^[2]
Kookpunt
Digtheid
Oplosbaarheid	Onoplosbaar
Suur-basis eienskappe
pKa
Veiligheid
Flitspunt
Tensy anders vermeld is alle data vir standaardtemperatuur en -druk toestande.

Portaal Chemie

Kopersilisiede is verbindings van silikon en koper.

Daar is verkeie kopersilisiede in die Cu-Si-fasediagram geïdentifiseer. Die bekendste is die η(êta)-fase wat gewoonlik as Cu₃Si weergegee word maar eintlik effens ryker aan koper is. Ander weergawes is Cu₇Si₂ of Cu₇₆Si₂₄. Die η-fase smelt kongruent teen 868°C.^[2] Solberg het in 1978 die η-fase se struktuur bepaal as romboëdries (trigonaal). Dit is 'n baie kompakte struktuur.^[1] Daar is twee koperposisies Cu_I en Cu_II, waarvan een op die drietallige as lê. Elke silikonatoom het

een Si-buur en een Cu_I-buur op 0,5166 maal die lengte van die romboëdriese a-as,
ses Cu_II-bure op 0,5235a
ses Cu_I-bure op 0,6025a

Maar Solberg het ook gevind dat teen kamertemperatuur superstukture gevorm kan word wat η' en η'' genoem word. Later elektrondiffraksiewerk het gewys dat die superstrukture baie ingewikkeld is. Meer navorsing is nodig. Daar is ander fases wat nog ryker aan koper is soos die epsilon fase Cu₇₉Si₂₁ of Cu₁₅Si₄ en die delta-fase Cu₈₂Si₁₈ wat peritekties ontbind teen 796°C en 726°C.^[2]

Gebruike

Cu₃Si word gebruik in die suiweringsproses van silikon vir die halfgeleierindustrie. Dit is die sleutel om suiwerhede soos 99,99999% te bereik. Daar is egter 'n toenemende aantal aanwendings in ander gebiede soos vir fotovoltaïese of elektriese doeleindes. Dit word ook as katalisator gebruik vir die vervaardiging van nanodraadjies van halgeleiers en van koolstof. 'n Ander gebied van aanwending is litiumbatterye.^[2]

Verwysings

↑ ^1,0 ^1,1 L. Magaud, S. Guillet, T. Lopez-Rios (1996). "Electronic structure of Cu3Si". Physica B: Condensed Matter. 225 (3–4): 225–229. doi:10.1016/0921-4526(96)86775-5.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)
↑ ^2,0 ^2,1 ^2,2 ^2,3 Erzsébet Dodony, György Z. Radnóczi, István Dódony (2019). "Low temperature formation of copper rich silicides". Intermetallics. 107: 108–115. doi:10.1016/j.intermet.2019.01.010.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)

[Magaud-1] 1,0 ^1,1 L. Magaud, S. Guillet, T. Lopez-Rios (1996). "Electronic structure of Cu3Si". Physica B: Condensed Matter. 225 (3–4): 225–229. doi:10.1016/0921-4526(96)86775-5.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)

[Erzs-2] 2,0 ^2,1 ^2,2 ^2,3 Erzsébet Dodony, György Z. Radnóczi, István Dódony (2019). "Low temperature formation of copper rich silicides". Intermetallics. 107: 108–115. doi:10.1016/j.intermet.2019.01.010.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)

[1]

[2]