[go: up one dir, main page]
Bước tới nội dung

LPDDR

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
(Đổi hướng từ LPDDR4X)
Bài này viết về bộ nhớ máy tính. Đối với trò chơi video, xem Dance Dance Revolution.

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng (Low-Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) còn gọi là LPDDR SDRAM, Low Power DDR, Mobile DDR hay mDDR là một loại SDRAM tốc độ dữ liệu gấp đôi cho máy tính di động.

Độ rộng bus

[sửa | sửa mã nguồn]

Giống như SDRAM tiêu chuẩn, mỗi thế hệ của LPDDR đã tăng gấp đôi kích thước tìm nạp nội bộ và tốc độ truyền tải bên ngoài. Tốc độ truyền tối đa là:

Các thế hệ LPDDR
LPDDR1 LPDDR1E LPDDR2 LPDDR2E LPDDR3 LPDDR3E LPDDR4 LPDDR4E LPDDR5
Đồng hồ mảng bộ nhớ
(tốc độ truy cập nội bộ) 		200 MHz 266.67 MHz 200 MHz 266.67 MHz 200 MHz 266.67 MHz 200 MHz 266.67 MHz ?
Kích thước nạp trước 2n 4n 8n 16n
Tần số đồng hồ bus I/O 200 MHz 266.67 MHz 400 MHz 533.33 MHz 800 MHz 1067 MHz 1600 MHz 2134 MHz ?
Tốc độ truyền dữ liệu (DDR) 400 MT/s 533.33 MT/s 800 MT/s 1066.67 MT/s 1600 MT/s 2133.33 MT/s 3200 MT/s 4266.67 MT/s 6400 MT/s
Điện áp cung cấp 1.8 V 1.2 V, 1.8 V 1.2 V, 1.8 V 1.1 V, 1.8 V
Lệnh/địa chỉ bus 19 bits, SDR 10 bits, DDR 10 bits, DDR 6 bits, SDR ?

Thế hệ

[sửa | sửa mã nguồn]

LPDDR nguyên bản

[sửa | sửa mã nguồn]

LPDDR nguyên bản (đôi khi được gọi là LPDDR1) là một dạng DDR SDRAM được sửa đổi một chút với một số thay đổi để giảm mức tiêu thụ năng lượng tổng thể.

Đáng kể nhất, điện áp cung cấp đã giảm từ 2,5 xuống 1,8 V. Tiết kiệm bổ sung đến từ việc làm mới bù nhiệt độ (DRAM yêu cầu làm mới ít thường xuyên hơn ở nhiệt độ thấp), tự làm mới một phần mảng và chế độ "giảm điện sâu", hy sinh tất cả bộ nhớ nội dung.  Ngoài ra, chip nhỏ hơn, sử dụng ít diện tích bảng mạch hơn so với tương đương không di động của chúng. Samsung và Micron là hai trong số các nhà cung cấp chính của công nghệ này, được sử dụng trong các thiết bị máy tính bảng và điện thoại như iPhone 3GS, iPad đời đầu, Samsung Galaxy Tab 7.0 và Motorola Droid X.

LPDDR2

[sửa | sửa mã nguồn]
Samsung K4P4G154EC-FGC1

Một tiêu chuẩn JEDEC mới JESD209-2E xác định giao diện LPDDR được điều chỉnh mạnh mẽ hơn. Nó không tương thích với DDR1 hoặc DDR2 SDRAM, nhưng có thể chứa một trong hai:

  • LPDDR2-S2: Bộ nhớ tìm nạp trước 2n (như DDR1),
  • LPDDR2-S4: Bộ nhớ tìm nạp trước 4n (như DDR2) hoặc
  • LPDDR2-N: Bộ nhớ không bay hơi (NAND flash).
LPDDR2/LPDDR3 command encoding[1]
CK CA0
(RAS)		 CA1
(CAS)		 CA2
(WE)		 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 Operation
↗ H H H — NOP
↘ —
↗ H H L H H — Precharge all banks
↘ —
↗ H H L H L — BA0 BA1 BA2 Precharge one bank
↘ —
↗ H H L H A30 A31 A32 BA0 BA1 BA2 Preactive
(LPDDR2-N only)
↘ A20 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29
↗ H H L L — Burst terminate
↘ —
↗ H L H reserved C1 C2 BA0 BA1 BA2 Read
(AP=auto-precharge)
↘ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↗ H L L reserved C1 C2 BA0 BA1 BA2 Write
(AP=auto-precharge)
↘ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↗ L H R8 R9 R10 R11 R12 BA0 BA1 BA2 Activate
(R0–14=Row address)
↘ R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R13 R14
↗ L H A15 A16 A17 A18 A19 BA0 BA1 BA2 Activate
(LPDDR2-N only)
↘ A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14
↗ L L H H — Refresh all banks
(LPDDR2-Sx only)
↘ —
↗ L L H L — Refresh one bank
(Round-robin addressing)
↘ —
↗ L L L H MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register read
(MA0–7=Address)
↘ MA6 MA7 —
↗ L L L L MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register write
(OP0–7=Data)
↘ MA6 MA7 OP0 OP1 OP2 OP3 OP4 OP5 OP6 OP7

LPDDR3

[sửa | sửa mã nguồn]

Tháng 5 năm 2012, JEDEC công bố tiêu chuẩn thiết bị bộ nhớ năng lượng thấp JESD209-3.[2][3][4]

LPDDR4

[sửa | sửa mã nguồn]

Vào ngày 14 tháng 3 năm 2012, JEDEC đã tổ chức một hội nghị để khám phá các yêu cầu thiết bị di động trong tương lai sẽ thúc đẩy các tiêu chuẩn sắp tới như LPDDR4.[5] Ngày 30 tháng 12 năm 2013, Samsung đã thông báo rằng họ đã phát triển LPDDR4 loại 8 gibibit (1 GiB) đầu tiên có khả năng truyền dữ liệu với tốc độ 3.200 Mb/s trên mỗi pin, do đó cung cấp hiệu suất cao hơn 50% so với LPDDR3 nhanh nhất và tiêu thụ năng lượng ít hơn khoảng 40% ở 1,1 V.[6][7]

LPDDR4 command encoding[8]:151
First cycle (CS=H) Second cycle (CS=L) Operation
CA5 CA4 CA3 CA2 CA1 CA0 CA5 CA4 CA3 CA2 CA1 CA0
L L L L L L — No operation
H L L L L L 0 OP4 OP3 OP2 OP1 1 Multi-purpose command
AB H L L L L — BA2 BA1 BA0 Precharge (AB=all banks)
AB L H L L L — BA2 BA1 BA0 Refresh (AB=All banks)
— H H L L L — Self-refresh entry
BL L L H L L AP C9 — BA2 BA1 BA0 Write-1 (+CAS-2)
— H L H L L — Self-refresh exit
0 L H H L L AP C9 — BA2 BA1 BA0 Masked Write-1 (+CAS-2)
— H H H L L — (reserved)
BL L L L H L AP C9 — BA2 BA1 BA0 Read-1 (+CAS-2)
C8 H L L H L C7 C6 C5 C4 C3 C2 CAS-2
— H L H L — (reserved)
OP7 L L H H L MA5 MA4 MA3 MA2 MA1 MA0 Mode Register Write-1 and -2
MA=Address, OP=Data
OP6 H L H H L OP5 OP4 OP3 OP2 OP1 OP0
— L H H H L MA5 MA4 MA3 MA2 MA1 MA0 Mode Register Read (+CAS-2)
— H H H H L — (reserved)
R15 R14 R13 R12 L H R11 R10 R16 BA2 BA1 BA0 Activate-1 and -2
R9 R8 R7 R6 H H R5 R4 R3 R2 R1 R0

LPDDR4X

[sửa | sửa mã nguồn]

Bộ phận bán dẫn Samsung đã đề xuất một biến thể LPDDR4 có tên LPDDR4X.[9] LPDDR4X giống hệt LPDDR4 ngoại trừ năng lượng bổ sung được tiết kiệm bằng cách giảm điện áp I/O (Vddq) từ 1,1 V xuống 0,6 V.

LPDDR5

[sửa | sửa mã nguồn]

Vào ngày 19 tháng 2 năm 2019, JEDEC đã xuất bản JESD209-5, Tiêu chuẩn cho Tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng 5 (LPDDR5).[10]

Tham khảo

[sửa | sửa mã nguồn]
  1. ^ JEDEC Standard: Low Power Double Data Rate 2 (LPDDR2) (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, tháng 2 năm 2010, truy cập ngày 30 tháng 12 năm 2010
  2. ^ JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips, Solid State Technology magazine
  3. ^ JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association
  4. ^ “JEDEC Announces Publication of LPDDR3 Standard for Low Power Memory Devices”. jedec.org. Truy cập ngày 10 tháng 3 năm 2015.
  5. ^ “JEDEC to Focus on Mobile Technology in Upcoming Conference”. jedec.org. Truy cập ngày 10 tháng 3 năm 2015.
  6. ^ “Samsung Develops Industry's First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM”. Samsung Tomorrow (Official Blog). Samsung Electronics. Bản gốc lưu trữ ngày 1 tháng 10 năm 2014. Truy cập ngày 10 tháng 3 năm 2015.
  7. ^ http://www.softnology.biz/pdf/JESD79-4_DDR4_SDRAM.pdf Lưu trữ 2020-07-29 tại Wayback Machine JESD79 DDR4 SDRAM Standard
  8. ^ JEDEC Standard: Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, tháng 8 năm 2014, truy cập ngày 25 tháng 12 năm 2014 Username and password "cypherpunks" will allow download.
  9. ^ Reza, Ashiq (ngày 16 tháng 9 năm 2016). 'Memory Need' Gives Birth To 'New Memory' (PDF). Qualcomm 3G LTE Summit. Hong Kong. Bản gốc (PDF) lưu trữ ngày 10 tháng 5 năm 2017. Truy cập ngày 24 tháng 10 năm 2019.
  10. ^ “JEDEC Updates Standard for Low Power Memory Devices: LPDDR5”. jedec.org. Truy cập ngày 19 tháng 2 năm 2019.

Liên kết ngoài

[sửa | sửa mã nguồn]

Bản mẫu:DRAM

Lấy từ “https://vi.wikipedia.org/w/index.php?title=LPDDR&oldid=71667763#LPDDR4X”